高純度SiC結晶の成長には、温度制御の精度が非常に重要です。本手法では、放射温度計を炭素つぼの上下に設置し、SiC原料から成長中の結晶までを測定窓から直接温度監視します。

• 放射温度計（ミラー付）: 上下2点で温度を高精度に測定
• 測定窓、外部モニター: 可視部を確保し、ビデオスコープ映像で結晶表面を観察
• 設定表示器: 4～20mAでPLCシステムに接続

これにより、SiC結晶成長プロセス全体で温度分布をリアルタイムに把握し、品質向上と生産効率の最適化を図ります。