Chapter 1
SiC結晶成長における温度測定
高純度SiC結晶の成長では、 温度制御の精度が重要になります。 本構成では、放射温度計をカーボンるつぼの上下に設置し、 測定窓からSiC原料と成長中の結晶を測定します。
カーボンるつぼの上下から測定
上下に配置した放射温度計によって、 SiC原料側と成長中の結晶側の温度をそれぞれ測定します。
上下2点の温度を確認することで、 SiC結晶成長プロセス全体の温度分布をリアルタイムに把握する構成です。
半導体製造における温度管理の考え方については、 「半導体製造における温度管理とは？」 でも詳しく整理しています。
Chapter 2
SiC原料と成長中の結晶を温度監視する
本構成では、放射温度計をカーボンるつぼの上下に配置し、 測定窓から対象を測定します。
| 測定対象 | 測定・確認する内容 |
|---|---|
| SiC原料 | カーボンるつぼ下側から放射温度計で温度を測定します。 |
| 成長中の結晶 | カーボンるつぼ上側から放射温度計で温度を測定します。 |
| 測定窓 | 放射温度計による測定と、 ビデオスコープ映像による可視確認に使用します。 |
| 外部モニター | ビデオスコープの映像を確認します。 |
Chapter 3
システム構成と接続例
放射温度計による測定だけでなく、 測定窓、外部モニター、設定表示器、 PLCシステムなどを組み合わせて構成します。
| 構成要素 | 役割 |
|---|---|
| 放射温度計（ミラー付） | 上下2点からSiC原料と成長中の結晶の温度を測定します。 |
| 測定窓 | 放射温度計による測定と対象の可視確認に使用します。 |
| 外部モニター | ビデオスコープ映像によって結晶表面などを確認します。 |
| 設定表示器 | 4～20mAでPLCシステムへ接続します。 |
実際の構成は設備条件や既設システムによって異なるため、 必要な接続条件を確認したうえで検討します。
Further reading
SiC結晶成長の温度測定を資料で確認する
SiC結晶成長における放射温度計の配置や測定構成について、 PDF資料でも確認できます。
Webページで測定方法の概要を確認してから、 詳細資料をご覧いただけます。
